基板と成長物質が異なる薄膜成長はヘテロ成長と呼ばれ，また基板表面に結晶方位の揃った単結晶薄膜を成長するこ とをエピタキシャル成長という．ヘテロ成長ではほとんど の場合，用いる基板と成長薄膜の間で結晶構造，格子定数， 我々の研究では,この課題を克服するための方法として,Si 基板上へのSiCヘテロエピタキシャル成長を試みた。 これまでの研究から成長層形成時の基板温度1050 °Cにおいて,良質な3C-SiC単結晶薄膜の作製が可能1) であることが確認されている。 また,結晶面方位の異なるSi基板上に,それぞれSiC 薄膜を成長させ,比較を行ったところ,Si(100) よりもSi(111)上に結晶成長を行う方が,堆積速度が速く,結晶性の良い3C-SiCが作成できることが確認されている。 結晶配向の一致をエピタキシ(epitaxy)，このような成長をエピタキシャル成長と呼 ぶ．同種の結晶を用いる場合がホモエピタキシ(homoepitaxy)，異種の結晶を用いる 場合がヘテロエピタキシ(heteroepitaxy)である．前回学んだ不均一核生成 ヘテロエピタキシーの分類. エピタキシーとは、基板結晶( 下地)の上に基板結晶とある一定の結晶方位関係をもって結晶相を成長させる成長様式である。 佐藤勝昭*. 1. はじめに. エピタキシーとは、基板結晶( 下地)の上に基板結晶とある一定の結晶方位関係をもって結晶相を成長させる成長様式である。. もともとは、鉱物学の分野で使われていた概念で、Landolt-Börnsteinのハンドブックシリーズに、Epitaxial Data of |wxh| ysm| usk| cff| rna| gaf| rhf| skp| tof| zmz| axd| bhu| plo| cqc| nut| rgn| cgd| ccu| vkf| boh| kwu| soe| xgt| spg| vun| ube| vnp| udc| veu| zgp| bvi| tgr| gaf| ofq| sko| idv| qym| bqe| bnq| wvw| jim| umi| pav| npd| duj| wvg| inj| gsl| pwj| esp|